Автомобили с пробегом на Автобазар

   Регистрация | Забыл пароль?   
Авто
Микроавтобусы
Грузовики
Мото
Автобусы
После ДТП
Купить
Добавить объявление
Организации
Частные объявления
Авто-Кредит
Авто-Страховка
Авто-Тюнинг
Новости
Видео
Авто-каталог
Авто-история
Расстояние
Камеры
ПДД
Таможня
МРЭО
Договора
Галерея
Авто-выставки
Новинки
FAQ
Связь с нами
Служба поддержки
автобазар Одесса
Автобазар Украина






VIP ОБЪЯВЛЕНИЯ

Opel Corsa
$12000
Toyota RAV 4
$22500
Volkswagen New Beetle
$16000
Land Rover Discovery
$14000







Новости

Intel планирует использовать с диэлектрической проницаемостью для создания транзисторных при 45-нм технологическом процессе. компании заявляют, ведется работа для нахождения более качественного изолятора, в частности, более высокой диэлектрической проницаемостью.

В данный момент все основные производители микропроцессоров ведут активные поиски материала для замены, единственно использовавшегося до сегодняшнего момента, диэлектрика диоксида кремния (SiO2), применение которого физически невозможно при 45-нм техпроцессе.

Именно еще в 2003 году сообщила, что поиски увенчались и что необходимый материал найден, а его применение планируется в 2007 году, но, официальные представители не раскрыли карты, какой именно диэлектрик будет использоваться, сообщив, это является корпоративной тайной.

Согласно Пауло Гарджини (Paolo Gargini), директора по разработке стратегических технологий, новое решение позволяет Intel 1.2-нм слой диоксида кремния, используемый при производстве 90-нм и 65-нм процессоров, "продвинутым" 3.0-нм слоем нового диэлектрика. При этом более чем в сто раз уменьшается утечки через затвор транзистора, что приведет снижению и увеличению производительности процессора. К тому же, нововведение позволит значительно упростить само производство чипов, а часть сэкономленных средств на увеличение оплаты компании, создав, образом, заинтересованность сотрудников.

На данный момент компания имеет в распоряжении материал, диэлектрическая проницаемость которого в три раза выше, чем у диоксида кремния, и ведутся работы над изолятора, соответствующие параметры которого в пять раз выше, чем у нынешнего диэлектрика. Компания действительно имеет неплохие шансы представить 45-нм процессоры в 2007 году, как и планируется сегодня. Руководство AMD пока не делает никаких заявлений, которые бы пролили свет на достижения компании в этой области. Так что об их готовности к переходу на новые можно только догадываться. Тем не менее компания просто обязана вести исследования, и не исключено, что какие-то "подвижки" у AMD. Источник: EETimes

© «Автобазар Украины - Online», 2004-2009
Рубрики: Связь с нами | Наши пертнеры | Реклама на сайте автобазара
Экспорт новостей и статей: RSS | Объявления
autobazar.od.ua
Время ген: 0.619 с.
Загрузка...